Azərbaycanca  Azərbaycanca  Türkçe  Türkçe
Падтрымка
www.global-by3.nina.az
  • Галоўная
  • Вікіпедыя
  • Музыка

Артыкул вымагае праверкі арфаграфіі Удзельнік які паставіў шаблон не пакінуў тлумачэнняў Магчымы машынны пераклад ужыван

Транзістар

  • Галоўная старонка
  • Вікіпедыя
  • Транзістар
Артыкул вымагае праверкі арфаграфіі
Удзельнік, які паставіў шаблон, не пакінуў тлумачэнняў.
Магчымы машынны пераклад, ужыванне ненарматыўнага правапісу або лексікі.
Для праверкі ёсць адмысловыя праграмы.

Транзі́стар (ад англ.: transfer — пераносіць і resistor — супраціўленне) — трохэлектродны паўправадніковы электронны прыбор, у якім ток у контуры двух электродаў кіруецца трэцім электродам.

image
Фотаздымкі некаторых тыпаў дыскрэтных транзістараў.

Кіраванне тока ў выхадным контуры ажыццяўляецца за кошт змянення ўваходнага тока (у біпалярным транзістары), або ўваходнага напружання (у палявым транзістары). Невялікае змяненне ўваходных велічынь можа прыводзіць да істотна большага змянення выхаднога напружання і тока.

Гэтая ўзмацняльная якасць транзістараў выкарыстоўваецца ў аналагавай тэхніцы (аналагавыя ТБ, радыё, сувязь і г. д.). У наш час у аналагавай тэхніцы дамінуюць біпалярныя транзістары (міжнародны тэрмін — BJT, bipolar junction transistor). Іншым важнейшым прымяненнем транзістараў з'яўляецца лічбавая тэхніка (логіка, памяць, працэсары, камп’ютары, лічбавая сувязь і г. д.).

Уся сучасная лічбавая тэхніка заснавана на МАП (метал-аксід-паўправаднік) транзістарах (МАПТ). Часам іх называюць МДП (метал-дыэлектрык-паўправаднік) транзістары, міжнародны тэрмін — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзістары вырабляюцца ў рамках інтэгральнай тэхналогіі на адным крэмніевым крышталі (чыпе) і з’яўляюцца элементарнай часткай для пабудовы памяці, працэсара, логікі і г. д. Памеры сучасных МАПТ складаюць ад 130 да 45 нм. На адным чыпе (звычайна памерам 1—2 см²) змяшчаюцца сотні мільёнаў МАПТ. На працягу 60 год адбываецца змяншэнне памераў (мініяцюрызацыя) МАПТ і павелічэнне іх колькасці на адным чыпе (ступень інтэграцыі), у бліжэйшыя гады чакаецца павелічэнне ступені інтэграцыі да мільярдаў транзістараў на чыпе. Памяншэнне памераў МАПТ прыводзіць таксама да павелічэння хуткадзейнасці працэсараў (тактавай частаты).

Кожную секунду сёння ў свеце вырабляюць паўмільярда МАП транзістараў[крыніца?].

Гісторыя

Першыя патэнты на прынцып работы палявых транзістараў былі зарегістраваны ў Германіі 1928 на імя . У 1934 годзе нямецкі фізік Оскар Хэйл запатэнтаваў палявы транзістар. Палявыя транзістары (у тым ліку МАП (метал-аксід-паўправаднік) транзістары) заснаваныя на простым электрастатычным эфекце поля, іх фізіка істотна прасцейшая, чым у біпалярных, і таму яны былі прыдуманы і запатэнтаваны значна раней. Тым не менш, першы МАП транзістар, які складае аснову сучаснай камп’ютарнай індустрыі, быў выраблены пасля біпалярнага транзістара ў 1960 годзе. Толькі ў 90-х гадах 20 ст. МАП тэхналогія стала дамінаваць над біпалярнай.

Вынаходства транзістара, кампактнага, лёгкага і надзейнага, адкрыла перад светам новыя магчымасці. Транзістар дазволіў адмовіцца ад капрызных і грувасткіх электронных лямп, што дазволіла зрабіць электронную тэхніку невялікай па памерах і больш надзейнай.

Яшчэ ў 1941 г. В. Я. Лашкароў апублікаваў артыкулы, у якіх апісаў асноўныя прынцыпы работы транзістара. Вадзім Яўгенавіч раскрыў механізмы, на аснове якіх і дагэтуль дзейнічаюць усе транзістары. Зрабіў ён гэта значна раней, чым хто-небудзь у свеце. Першыя паведамленні ў амерыканскім друку аб з’яўленні транзістара з'явілася ў ліпені ў 1948 г. — праз 7 гадоў пасля артыкула В. Я. Лашкарова. Аднак працы Лашкарова не атрымалі прызнання. Усе даныя яго даследаванняў у СССР былі засакрэчаныя. Гэта не давала магчымасці навукоўцу заявіць пра свае правы на патэнт і замацаваць прыярытэт за СССР.

У 1947 г. Уільям Шоклі, Джон Бардзін і Уолтэр Братэйн у лабараторыях упершыню стварылі дзеючы біпалярны транзістар, які прадэманстравалі 16 снежня. 23 снежня адбылося афіцыйнае прадстаўленне вынаходніцтва, і менавіта гэта дата лічыцца днём стварэння транзістара. Паводле тэхналогіі вырабу ён адносіўся да класу дакладных транзістараў. У 1956 г. яны былі ўзнагароджаны Нобелеўскай прэміяй па фізіцы «за даследаванне паўправаднікоў і адкрыццё транзістарнага эфекту». Цікава, што Джон Бардзін у хуткім часе быў адзначаны Нобелеўскай прэміяй у другі раз за стварэнне тэорыі звышправоднасці.

Пазней транзістары выціснулі вакуумныя лямпы ў большасці электронных прыстасаванняў, здзейсніўшы тым рэвалюцыю ў стварэнні інтэгральных схем і камп’ютараў.

Bell была патрэбная назва новый прылады. Прапаноўвалася назваць яго «паўправадніковы трыёд» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «крысталічны трыёд» (crystal triode) і «Iotatron», але слова «транзістар» (transistor), якое прапанаваў , перамагло ва ўнутраным галасаванні.

Першапачаткова назва «транзістар» адносілася да рэзістараў, якія кіруюцца напружаннем. Паколькі транзістар можна ўявіць як супраціўленне, якое рэгулюецца напружаннем на адным электродзе (у палявых транзістараў, для якіх гэта аналогія больш правільная — напружаннем на засаўцы, у біпалярных транзістараў — напружаннем на базе альбо токам базы).

Класіфікацыя транзістараў

image p-n-p image канал p-тыпу
image n-p-n image канал n-тыпу
Біпалярныя Палявыя
Абазначэнне транзістараў розных тыпаў
  • Біпалярныя транзістары
  • Палявыя транзістары
  • Спецыяльныя тыпы транзістараў
    • Камбінаваныя транзістары
    • Аднапераходныя транзістары

Прынцып дзеяння і спосабы прымянення транзістараў істотна залежаць ад іх тыпу. Больш падрабязна аб кожным з іх глядзі ў адпаведным артыкуле.

Паводле выкарыстанага паўправадніка транзістары класіфікуюць на германіевыя (у наш час не выпускаюцца), крэмніевыя і арсенід-галіевыя. Іншыя матэрыялы транзістараў да нядаўняга часу не выкарыстоўваліся. У наш час ёсць транзістары на аснове, напрыклад, празрыстых паўправаднікоў для выкарыстоўвання ў матрыцах дысплеяў. Перспектыўны матэрыял для транзістараў — паўправадніковыя палімеры. Таксама ёсць асобныя паведамленні наконт транзістараў на аснове вугляродных нанатрубак.

Па магутнасці выдзяляюць маламагутныя транзістары (рассейваемая магутнасць парадку міліватаў), транзістары сярэдняй магутнасці (ад 0,1 да 1 Вт рассейванай магутнасці) і магутная транзістары (звыш 1 Вт).

Па выкананню выдзяляюць дыскрэтныя транзістары (корпусныя і бяскорпусныя) і транзістары ў складзе інтэгральных схем.

Гл. таксама

  • Прылада звышвысокай частаты

Літаратура

  • Транзі́стар // Беларуская энцыклапедыя: У 18 т. Т. 15: Следавікі — Трыо / Рэдкал.: Г. П. Пашкоў і інш. — Мн. : БелЭн, 2002. — Т. 15. — С. 504—505. — 10 000 экз. — ISBN 985-11-0035-8. — ISBN 985-11-0251-2 (т. 15).
  • Транзи́стор / Федотов Я. А. // Т. 26. Тихоходки — Ульяново. — М. : Советская энциклопедия, 1977. — С. 144—146. — (Большая советская энциклопедия : [в 30 т.] / гл. ред. А. М. Прохоров; 1969—1978). (руск.)
  • Транзи́стор // Большая политехническая энциклопедия (руск.) / Авт.-сост. В. Д. Рязанцев. — М.: Мир и образование, 2011. — С. 552. — 704 с. — 2 000 экз. — ISBN 978-5-94666-621-3.
  • Транзі́стар; Транзі́старны // Тлумачальны слоўнік беларускай мовы: У 5-ці т / АН БССР, Інстытут мовазнаўства імя Я. Коласа. — Мн.: Беларус. Сав. Энцыклапедыя імя Петруся Броўкі, 1983. — Т. 5 кн. 1: С — Улагодзіць / [рэдактар М. Р. Суднік]. — С. 506. — 663 с.
  • Транзі́стар // Тлумачальны слоўнік беларускай літаратурнай мовы / уклад.: І. Л. Капылоў [і інш.] ; пад рэд. І. Л. Капылова. — Мн.: Беларуская Энцыклапедыя імя Петруся Броўкі, 2016. — С. 824. — 968 с. — 1 000 экз. — ISBN 978-985-11-0937-7.
  • Стріха В. І. Транзи́стор // Українська радянська енциклопедія : у 12 т. / гол. ред. М. П. Бажан; редкол.: О. К. Антонов та ін. — 2-ге вид. — К. : Головна редакція УРЕ, 1984. — Т. 11, кн. 1 : Стодола — Фітогеографія. — С. 321. — 606, [2] с., [22] арк. іл. : іл., портр., карти с. (укр.)
image Транзістар на Вікісховішчы

Аўтар: www.NiNa.Az

Дата публікацыі: 23 Май, 2025 / 23:18

Artykul vymagae praverki arfagrafii Udzelnik yaki pastaviy shablon ne pakinuy tlumachennyay Magchymy mashynny peraklad uzhyvanne nenarmatyynaga pravapisu abo leksiki Dlya praverki yosc admyslovyya pragramy Tranzi star ad angl transfer peranosic i resistor supraciylenne trohelektrodny paypravadnikovy elektronny prybor u yakim tok u kontury dvuh elektroday kiruecca trecim elektrodam Fotazdymki nekatoryh typay dyskretnyh tranzistaray Kiravanne toka y vyhadnym kontury azhyccyaylyaecca za kosht zmyanennya yvahodnaga toka u bipalyarnym tranzistary abo yvahodnaga napruzhannya u palyavym tranzistary Nevyalikae zmyanenne yvahodnyh velichyn mozha pryvodzic da istotna bolshaga zmyanennya vyhadnoga napruzhannya i toka Getaya yzmacnyalnaya yakasc tranzistaray vykarystoyvaecca y analagavaj tehnicy analagavyya TB radyyo suvyaz i g d U nash chas u analagavaj tehnicy daminuyuc bipalyarnyya tranzistary mizhnarodny termin BJT bipolar junction transistor Inshym vazhnejshym prymyanennem tranzistaray z yaylyaecca lichbavaya tehnika logika pamyac pracesary kamp yutary lichbavaya suvyaz i g d Usya suchasnaya lichbavaya tehnika zasnavana na MAP metal aksid paypravadnik tranzistarah MAPT Chasam ih nazyvayuc MDP metal dyelektryk paypravadnik tranzistary mizhnarodny termin MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor Tranzistary vyrablyayucca y ramkah integralnaj tehnalogii na adnym kremnievym kryshtali chype i z yaylyayucca elementarnaj chastkaj dlya pabudovy pamyaci pracesara logiki i g d Pamery suchasnyh MAPT skladayuc ad 130 da 45 nm Na adnym chype zvychajna pameram 1 2 sm zmyashchayucca sotni milyonay MAPT Na pracyagu 60 god adbyvaecca zmyanshenne pameray miniyacyuryzacyya MAPT i pavelichenne ih kolkasci na adnym chype stupen integracyi u blizhejshyya gady chakaecca pavelichenne stupeni integracyi da milyarday tranzistaray na chype Pamyanshenne pameray MAPT pryvodzic taksama da pavelichennya hutkadzejnasci pracesaray taktavaj chastaty Kozhnuyu sekundu syonnya y svece vyrablyayuc paymilyarda MAP tranzistaray krynica GistoryyaPershyya patenty na pryncyp raboty palyavyh tranzistaray byli zaregistravany y Germanii 1928 na imya U 1934 godze nyamecki fizik Oskar Hejl zapatentavay palyavy tranzistar Palyavyya tranzistary u tym liku MAP metal aksid paypravadnik tranzistary zasnavanyya na prostym elektrastatychnym efekce polya ih fizika istotna prascejshaya chym u bipalyarnyh i tamu yany byli prydumany i zapatentavany znachna ranej Tym ne mensh pershy MAP tranzistar yaki skladae asnovu suchasnaj kamp yutarnaj industryi byy vyrableny paslya bipalyarnaga tranzistara y 1960 godze Tolki y 90 h gadah 20 st MAP tehnalogiya stala daminavac nad bipalyarnaj Vynahodstva tranzistara kampaktnaga lyogkaga i nadzejnaga adkryla perad svetam novyya magchymasci Tranzistar dazvoliy admovicca ad kapryznyh i gruvastkih elektronnyh lyamp shto dazvolila zrabic elektronnuyu tehniku nevyalikaj pa pamerah i bolsh nadzejnaj Yashche y 1941 g V Ya Lashkaroy apublikavay artykuly u yakih apisay asnoynyya pryncypy raboty tranzistara Vadzim Yaygenavich raskryy mehanizmy na asnove yakih i dagetul dzejnichayuc use tranzistary Zrabiy yon geta znachna ranej chym hto nebudz u svece Pershyya pavedamlenni y amerykanskim druku ab z yaylenni tranzistara z yavilasya y lipeni y 1948 g praz 7 gadoy paslya artykula V Ya Lashkarova Adnak pracy Lashkarova ne atrymali pryznannya Use danyya yago dasledavannyay u SSSR byli zasakrechanyya Geta ne davala magchymasci navukoycu zayavic pra svae pravy na patent i zamacavac pryyarytet za SSSR U 1947 g Uilyam Shokli Dzhon Bardzin i Uolter Bratejn u labaratoryyah upershynyu stvaryli dzeyuchy bipalyarny tranzistar yaki prademanstravali 16 snezhnya 23 snezhnya adbylosya aficyjnae pradstaylenne vynahodnictva i menavita geta data lichycca dnyom stvarennya tranzistara Pavodle tehnalogii vyrabu yon adnosiysya da klasu dakladnyh tranzistaray U 1956 g yany byli yznagarodzhany Nobeleyskaj premiyaj pa fizicy za dasledavanne paypravadnikoy i adkryccyo tranzistarnaga efektu Cikava shto Dzhon Bardzin u hutkim chase byy adznachany Nobeleyskaj premiyaj u drugi raz za stvarenne teoryi zvyshpravodnasci Paznej tranzistary vycisnuli vakuumnyya lyampy y bolshasci elektronnyh prystasavannyay zdzejsniyshy tym revalyucyyu y stvarenni integralnyh shem i kamp yutaray Bell byla patrebnaya nazva novyj prylady Prapanoyvalasya nazvac yago paypravadnikovy tryyod semiconductor triode Solid Triode Surface States Triode krystalichny tryyod crystal triode i Iotatron ale slova tranzistar transistor yakoe prapanavay peramaglo va ynutranym galasavanni Pershapachatkova nazva tranzistar adnosilasya da rezistaray yakiya kiruyucca napruzhannem Pakolki tranzistar mozhna yyavic yak supraciylenne yakoe regulyuecca napruzhannem na adnym elektrodze u palyavyh tranzistaray dlya yakih geta analogiya bolsh pravilnaya napruzhannem na zasaycy u bipalyarnyh tranzistaray napruzhannem na baze albo tokam bazy Klasifikacyya tranzistarayp n p kanal p typun p n kanal n typuBipalyarnyya PalyavyyaAbaznachenne tranzistaray roznyh typay Bipalyarnyya tranzistary Palyavyya tranzistary Specyyalnyya typy tranzistaray Kambinavanyya tranzistary Adnaperahodnyya tranzistary Pryncyp dzeyannya i sposaby prymyanennya tranzistaray istotna zalezhac ad ih typu Bolsh padrabyazna ab kozhnym z ih glyadzi y adpavednym artykule Pavodle vykarystanaga paypravadnika tranzistary klasifikuyuc na germanievyya u nash chas ne vypuskayucca kremnievyya i arsenid galievyya Inshyya materyyaly tranzistaray da nyadaynyaga chasu ne vykarystoyvalisya U nash chas yosc tranzistary na asnove napryklad prazrystyh paypravadnikoy dlya vykarystoyvannya y matrycah dyspleyay Perspektyyny materyyal dlya tranzistaray paypravadnikovyya palimery Taksama yosc asobnyya pavedamlenni nakont tranzistaray na asnove vuglyarodnyh nanatrubak Pa magutnasci vydzyalyayuc malamagutnyya tranzistary rassejvaemaya magutnasc paradku milivatay tranzistary syarednyaj magutnasci ad 0 1 da 1 Vt rassejvanaj magutnasci i magutnaya tranzistary zvysh 1 Vt Pa vykanannyu vydzyalyayuc dyskretnyya tranzistary korpusnyya i byaskorpusnyya i tranzistary y skladze integralnyh shem Gl taksamaPrylada zvyshvysokaj chastatyLitaraturaTranzi star Belaruskaya encyklapedyya U 18 t T 15 Sledaviki Tryo Redkal G P Pashkoy i insh Mn BelEn 2002 T 15 S 504 505 10 000 ekz ISBN 985 11 0035 8 ISBN 985 11 0251 2 t 15 Tranzi stor Fedotov Ya A T 26 Tihohodki Ulyanovo M Sovetskaya enciklopediya 1977 S 144 146 Bolshaya sovetskaya enciklopediya v 30 t gl red A M Prohorov 1969 1978 rusk Tranzi stor Bolshaya politehnicheskaya enciklopediya rusk Avt sost V D Ryazancev M Mir i obrazovanie 2011 S 552 704 s 2 000 ekz ISBN 978 5 94666 621 3 Tranzi star Tranzi starny Tlumachalny sloynik belaruskaj movy U 5 ci t AN BSSR Instytut movaznaystva imya Ya Kolasa Mn Belarus Sav Encyklapedyya imya Petrusya Broyki 1983 T 5 kn 1 S Ulagodzic redaktar M R Sudnik S 506 663 s Tranzi star Tlumachalny sloynik belaruskaj litaraturnaj movy uklad I L Kapyloy i insh pad red I L Kapylova Mn Belaruskaya Encyklapedyya imya Petrusya Broyki 2016 S 824 968 s 1 000 ekz ISBN 978 985 11 0937 7 Striha V I Tranzi stor Ukrayinska radyanska enciklopediya u 12 t gol red M P Bazhan redkol O K Antonov ta in 2 ge vid K Golovna redakciya URE 1984 T 11 kn 1 Stodola Fitogeografiya S 321 606 2 s 22 ark il il portr karti s ukr Tranzistar na Vikishovishchy

Апошнія артыкулы
  • Май 24, 2025

    Вікіманія

  • Май 23, 2025

    Віктар Юшчанка

  • Май 23, 2025

    Вялікія азёры

  • Май 24, 2025

    Вышні Валачок

  • Май 24, 2025

    Вычагда

www.NiNa.Az - Студыя

  • Вікіпедыя
  • Музыка
Звяжыцеся з намі
Мовы
Звязацца з намі
DMCA Sitemap
© 2019 nina.az - Усе правы абаронены.
Аўтарскія правы: Dadash Mammadov
Бясплатны сайт для абмену дадзенымі і файламі з усяго свету.
Верхняя частка